晶片的主要技术参数： 

A、晶片的伏安特性图： 

B、顺向电压（VF）：施加在晶片两端，使晶片正向导通的电压。此电压与晶片本身和测试电流存在相应的关系。VF过大，会使晶片被击穿。 

C、顺向电流（IF）：晶片在施加一定电压后，所产生的正向导通电流。IF的大小，与顺向电压的大小有关。晶片的工作电流在10-20mA左右。 

D、逆向电压（VR）：施加在晶片上的反向电压。 

E、逆向电流（IR）：是指晶片在施加反向电压后，所产生的一个漏电流。此电流越小越好。因为电流大了容易造成晶片被反向击穿。 

F、亮度（IV）：指光源的明亮程度。 

G、单位换算：1cd=1000mcd、波长：反映晶片的发光颜色。不同波长的晶片其发光颜色也就不同。单位：nm。 

H、光：是电磁波的一种。波长在0.1mm-10nm之电磁波称为光。光可分为：波长大于0.1mm称为电波；760nm-0.1nm叫红外光;380nm-760nm叫可见光; 10nm-380nm叫紫外光；波长小于10nm的是X线光。